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三相納米晶磁芯電抗裝置實用新型專利介紹

長沙麓山電子科技有限公司自主研發(fā)的“一種三相納米晶磁芯電抗裝置”（專利號：ZL 2020 2 1560145.4）獲國家知識產權局授權，標志著公司在新型磁性材料應用領域的技術突破。

該專利創(chuàng)新性地將納米晶磁芯材料應用于三相電抗器設計，通過優(yōu)化磁路結構與繞組工藝，顯著提升了電抗裝置的磁導率、抗飽和能力及溫度穩(wěn)定性。與傳統(tǒng)硅鋼片磁芯相比，納米晶材料的應用使產品體積縮小30%以上，損耗降低20%，尤其適用于高頻、高精度電力電子設備場景，為新能源、軌道交通等領域提供了高效節(jié)能的電抗解決方案。

作為公司“新材料+結構創(chuàng)新”戰(zhàn)略的重要成果，該專利由王道平、施海軍等核心技術團隊研發(fā)，于2020年7月申請，2021年3月正式授權。其技術優(yōu)勢不僅增強了產品的市場競爭力，更推動了電抗器行業(yè)向輕量化、高效化升級。

未來，公司將持續(xù)深化納米晶、非晶等新型材料的研發(fā)應用，以技術創(chuàng)新驅動產業(yè)升級，為客戶創(chuàng)造更高價值。